据韩国新闻网站ChosunBiz报道，SK海力士是领先的DRAM内存制造商之一，最近进入了英特尔针对服务器端使用的DDR5内存与其即将推出的DRAM标准的兼容性验证流程。该公司的下一步是更接近新产品的量产，尤其是基于服务器的DRAM。
SK海力士将等待英特尔对该公司新的10纳米级第五代服务器DRAM进行完整的兼容性验证。下个月，验证过程将开始，看看新的DRAM是否可以用于英特尔的服务器处理器。这是在公司上个月的电话会议上宣布的，该公司被引述说：“我们将在今年年中完成量产1bDRAM的准备工作。”
随着英特尔保持服务器处理器市场90%的稳定，SK海力士希望他们的新DRAM将与英特尔处理器一起使用，以便在服务器(例如数据中心)中得到充分利用。该公司还实现了第一个10纳米级第四代服务器DRAM，同时英特尔还展示了其新的英特尔至强可扩展处理器，也称为SapphireRapids。当被要求发表评论时，一位代表拒绝了最近与其他公司的任何合作。
SK海力士的下一步业务计划是推出将在未来量产的1ßnanoDRAM。与该公司成本更高的竞争产品相比，新的DRAM将效率提高了40%。
内存行业的另一家领导者三星电子最近推出了采用1ß纳米工艺的16GBDDR5DRAM。三星选择与之完成兼容性验证的公司是英特尔的CPU竞争对手AMD。
最近，据透露，SK海力士和三星等DRAM制造商已经提高了包括HBM在内的内存解决方案的价格。NVIDIA已要求SK海力士提高该公司的HBM3产能。然而，其他供应商正在寻求将HBM3集成到他们的下一代产品中，例如英特尔。这将导致SK海力士无法维持对其产品的需求。话虽这么说，HBM3内存的定价已经比原来的成本增加了五倍。
目前，SK海力士和竞争对手三星电子是唯一有能力使用较新的极紫外(EUV)光刻工艺制造计算机组件的机构。