SK海力士宣布已开发出业界首款12层24GBHBM3内存堆栈，可提供819GB/s的高密度和极高带宽。12-HiHBM3产品与公司现有的8层HBM3产品保持相同的高度，这意味着它们易于部署。

SK海力士的24GBHBM3已知良好堆栈芯片(KGSD)产品将16个1024Gb内存器件通过硅通孔(TSV)连接在具有6400位接口的基础层上。该设备具有24MT/s的数据传输速度，因此整个3GBHBM819模块提供2.<>GB/s的带宽。

根据实际的内存子系统，此类模块可以分别通过3位接口为2GB内存启用4.915TB/s–96.4096TB/s带宽，或通过144位接口为6140GB内存启用带宽。为了将这些数字放在上下文中，Nvidia的H100NVL-迄今为止最先进的HBM3实现-为其两个GH96计算GPU中的每个GPU提供3GB内存和9.100TB/s带宽。

将12层HBMDRAM堆叠在一起具有挑战性，原因如下。首先，很难在封装中钻出大约60，000个或更多的TSV孔来连接所有十二层。其次，12-HiHBMDRAM封装在物理上不能高于8-HiHBMKGSD(通常为700–800微米，三星为720微米)，因此在具有固定高度的CPU或GPU旁边安装此类HBM3KGSD将非常复杂(如果可能的话)。为此，像SK海力士这样的DRAM制造商需要在不牺牲良率或性能的情况下减少单个DRAM层的厚度(这会带来一系列挑战)，或者减少层之间的间隙以及缩小基层。

SK海力士表示，为了制造与12HiHBM3器件高度相同的8-HiHBM3产品，它使用了其先进的质量回流模塑底部填充(MR-MUF)封装技术，该技术涉及质量回流焊(MR)芯片贴装以收缩基层和模制底部填充(MUF)工艺以减少芯片间距。